金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅器件及其制造方法”的专利，公开号CN119153498A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明实施例提供的一种碳化硅器件，包括：n型碳化硅层；位于所述n型碳化硅层内的若干个栅沟槽；位于所述n型碳化硅层内且位于所述栅沟槽两侧的p型体区，所述p型体区包括第一p型体区以及位于所述第一p型体区与所述栅沟槽之间的第二p型体区，所述第二p型体区的深度小于所述第一p型体区的深度，所述栅沟槽的深度小于所述第一p型体区的深度且大于所述第二p型体区的深度；位于所述p型体内的n型源区和电流沟道区，所述电流沟道区包括水平沟道区和垂直沟道区；位于所述栅沟槽内的栅极，所述栅极延伸至两侧的所述水平沟道区之上，所述栅极通过栅极电压控制所述电流沟道区的开启和关断。
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