金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“晶硅太阳能电池和光伏组件”的专利，公开号CN119153546A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种晶硅太阳能电池和光伏组件。晶硅太阳能电池包括硅基底；第一钝化层、氮化硅层和氮氧化硅层，第一钝化层、氮化硅层和氮氧化硅层依顺序叠设于硅基底的正面；氢气隔离层，氢气隔离层叠设于氮氧化硅层的正面；氢气隔离层的孔隙率小于氢气分子的粒子直径且大于氢原子的粒子直径；第二钝化层，第二钝化层叠设于氢气隔离层的背离硅基底的一面。本申请实施例通过在氮化硅层和氮氧化硅层的正面叠设氢气隔离层，实现了从物理意义上的氢气隔离，将氮化硅层和氮氧化硅层释放的氢气隔离至氢气隔离层与硅基底之间，即使在高温烧结的情况下，也不会出现扩散出去的情况，保证了电池内部的氢气含量，提高了对悬挂键的钝化效果。
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