金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池和太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN119153553A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括硅衬底，具有相对的第一表面、第二表面和侧面；隧穿层和第一掺杂层，堆叠在第一表面上，第一掺杂层包括掺杂多晶硅；本征非晶硅层和第二掺杂层，堆叠在第二表面上，本征非晶硅层从侧面延伸至第掺杂层上第二掺杂层延伸至侧面上，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层相反，第二掺杂层包括掺杂微晶硅；第一透明导电层，设置在第一掺杂层上；第二透明导电层，设置在第二掺杂层上，且第二透明导电层的边缘与侧面之间间隔预设距离；第一电极和第二电极，分别与第一透明导电层和第二透明导电层电连接。本申请的本征非晶硅层能够钝化硅衬底的侧面，以及降低出现短路的风险。
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