金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、操作方法”的专利，公开号CN119153443A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开一种半导体结构及其形成方法、操作方法。所述半导体结构包括：多个有源结构，每个所述有源结构包括有源区、位于所述有源区上方的栅极结构、以及位于所述有源区上方且与所述有源区电连接的导电连接结构；多个所述有源结构中的所述有源区沿第一方向的宽度相同，且任意两个所述有源结构中的所述有源区沿第二方向的长度不同，所述第一方向与所述第二方向相交。本公开提高了有源区电阻测试的准确度和可靠性，为半导体器件性能的改善提供了参考。
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