金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司、珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN119153537A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制作方法。半导体器件包括：基底结构；多个在预设方向依次分布的沟槽栅极部，位于基底结构中，预设方向与基底结构的厚度方向垂直；绝缘层，位于基底结构一侧的部分表面上，绝缘层和基底结构之间具有容纳腔，绝缘层在基底结构上的正投影与沟槽栅极部在基底结构上的正投影至少部分重叠；多个导电部，导电部为源极金属部或者漏极金属部中的一种，多个导电部中的至少一个导电部用于输入信号，多个导电部中的至少两个导电部用于输出信号，在预设方向上用于输入信号的导电部和用于输出信号的导电部之间具有至少一个沟槽栅极部。解决了现有技术中半导体器件如何满足二次布线的需求的技术问题。
本文源自：金融界
