金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119153486A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；在所述沟槽的内壁上依序设有第一介质层、钉扎层和第二介质层。本公开实施例的半导体结构在工作时，第二介质层会俘获电荷，在第一介质层和第二介质层之间设置钉扎层，钉扎层能够吸收俘获的电荷，从而减少了相应位置的局部电场，避免热载流子累积至第一介质层的顶部以对半导体结构产生击穿，进而避免热载流子累积而破坏半导体结构，提高半导体结构的电学性能。
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