金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119153472A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻的第一器件区和第二器件区，基底上形成有沟道结构；在相邻沟道结构之间形成凸立于基底的占位层；形成填充于相邻沟道结构与占位层的相对侧壁之间、且覆盖沟道结构与占位层顶部的第一功函数层；形成覆盖第一功函数层的掩膜材料层；去除第一器件区的掩膜材料层，保留位于第二器件区的掩膜材料层作为掩膜层；以掩膜层为掩膜，去除第一器件区中位于沟道结构与占位层顶部的第一功函数层；去除掩膜层；形成覆盖第一器件区中沟道结构、占位层和第一功函数层顶部、以及第二器件区的第一功函数层顶部的第二功函数层；形成覆盖第二功函数层的栅电极层。本发明有利于提高半导体结构的工作稳定性。
本文源自：金融界
