金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“提高发光效率的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN119153601A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层、第一P型电流扩展层和P型窗口层，第一P型电流扩展层的掺杂浓度小于P型窗口层的掺杂浓度本公开实施例能提高载流子注入的均匀性，提高LED的发光效率。
本文源自：金融界
