金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种TOPCon太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN119153586A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括：S1、硅片背面抛光；S2、背面沉积隧穿氧化层、磷掺杂非晶硅层、掩膜层；S3、正面碱制绒；S4、正面沉积隧穿氧化层、本征非晶硅层；S5、正面硼扩散，背面磷掺杂非晶硅层同步晶化为含磷多晶硅层；S6、激光晶化；S7、去除侧面BSG层及背面掩膜层的表层部分；S8、去除侧面硼扩散层及正面BSG层和残留掩膜层；S9、双面镀膜；S10、丝网印刷，烧结，光注入。本发明可实现硅片单面制绒，且低温硼扩散配合激光晶化可避免因晶化温度过高而导致磷原子过度内扩。本发明方法对硅片厚度的减薄较少，不仅有利于降低制备过程中硅片碎片率，还能进一步提升电池光学性能。
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