金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，安世有限公司申请一项名为“分离栅极MOSFET”的专利，公开号CN119153499A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种具有有源区的半导体功率装置，所述装置的所述有源区包括：至少两个分离栅极沟槽区，其中在横向上相邻的两个分离栅极沟槽区由台面区隔开；以及位于所述台面区中的第一导电类型的两个或更多接触区。所述第一导电类型的所述接触区与所述两个相邻的分离栅极沟槽区接触，使得在使用中沿着每个分离栅极沟槽区的侧形成沟道所述装置还包括至少两个绝缘间隔件区，其位于所述第一导电类型的所述两个或更多个接触区之上且与所述第一导电类型的所述两个或更多个接触区对准；以及源极接触件，其在所述台面区内和所述至少两个绝缘间隔件区之间从所述装置的上表面延伸。
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