金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“碳化硅半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119153532A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种碳化硅半导体器件及其制备方法，碳化硅半导体器件包括：衬底以及位于衬底中的源极区和位于衬底上的栅极结构；介质层，覆盖栅极结构和衬底；源极导电层，贯穿介质层以与源极区导电连接，并覆盖部分介质层的顶表面；栅极导电层，贯穿介质层以与栅极结构导电连接，并覆盖部分介质层的顶表面；源极导电层和栅极导电层间隔设置；钝化层，至少覆盖源极导电层的靠近栅极导电层一侧的侧壁以及栅极导电层的侧壁和顶表面；被钝化层覆盖的源极导电层和栅极导电层的侧壁中的至少部分侧壁满足：在侧壁的顶端和底端之间具有缓降结构，缓降结构通过斜坡状缓降和台阶状缓降中的一种或其组合的方式形成。如此可提高器件的可靠性。
本文源自：金融界
