金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，江门普乐开瑞太阳能科技有限公司申请一项名为“背接触太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN119153552A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。上述背接触太阳能电池包括单晶硅衬底、隧穿氧化层、第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层、本征非晶硅层、第一电极以及第二电极。隧穿氧化层设置在单晶硅衬底的第一侧上，第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层和本征非晶硅层分别设置在隧穿氧化层上，本征非晶硅层设置在第一掺杂类型多晶硅层和第二掺杂类型多晶硅层之间。背接触太阳能电池具有隔离槽，隔离槽将本征非晶硅层分隔为连接于第一掺杂类型多晶硅层的第一部分和连接于第二掺杂类型多晶硅层的第二部分。上述背接触太阳能电池既弥补了该处单晶硅衬底的界面缺陷，又实现了两种不同掺杂类型介质的绝缘。
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