金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“基于背面接触的管芯边缘保护环”的专利，公开号CN119153491A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明涉及基于背面接触的管芯边缘保护环。描述了一种保护环。在示例中，半导体管芯包括有源器件层，该有源器件层包括多个纳米带器件。电介质结构位于有源器件层之上。第一管芯边缘金属保护环位于电介质结构中并且围绕多个纳米带器件的外周。多个金属化层位于电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个直接背面接触延伸到有源器件层。多个背面金属化结构位于多个直接背面接触下方。多个直接背面接触连接到多个背面金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背面金属化结构。
本文源自：金融界
