金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器”的专利，公开号CN119155989A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，该形成方法包括：提供衬底和初始位线结构，衬底包括第一掺杂区和第二掺杂区，初始位线结构与第一掺杂区电连接，初始位线结构的至少一侧具有露出第二掺杂区的顶部的第一窗口；形成接触材料层，接触材料层填满第一窗口；在接触材料层的表面形成牺牲层；在牺牲层及接触材料层内形成多个间隔分布的牺牲部以及多个分别位于牺牲部下方的导电接触部；导电接触部与第二掺杂区电连接；相邻的两个牺牲部之间的间距大于其下方的两个导电接触部之间的间距；形成填满各导电接触部之间的间隙的绝缘层。本公开的形成方法可降低绝缘层中产生空隙的概率，提高产品良率。
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