金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储单元、存储器及其制备方法”的专利，公开号CN119155988A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元，包括写晶体管和读晶体管。写晶体管包括：第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于第一源极和第一漏极之间的沟道体；其中，第一栅极与写字线相连接，第一源极与源极线相连接，第一漏极与写位线相连接。读晶体管包括：第二栅极、第二源极和第二漏极；第二栅极与读字线相连接，第二漏极与读位线相连接，第二源极与写晶体管的所述沟道体相耦接。本公开可以提高存储单元的传感裕度和数据保持功能，从而提升存储器的存储性能。
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