金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“垂直导电型半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119170501A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种垂直导电型半导体器件及其制备方法，在正面工艺过程中通过在终端区的边缘区域形成环状封闭沟槽，划片过程中划片磨轮与划片道处的无机钝化层之间的作用力向终端区传递过程中会先传递至环状封闭沟槽才能继续朝向终端区内部传递，由于环状封闭沟槽呈封闭的沟槽状，会改变并加长传递的作用力的方向及路径，从而有效减弱甚至阻断传递的作用力，即该传递的作用力被环状封闭沟槽有效阻挡，有效保证终端区及其内部区域上无机钝化层与正面结构上的正面金属层和介电层的粘附性，提升垂直导电型半导体器件的可靠性，且该制备方法实用性强，易于制备且成本低。
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