金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种减小碳化硅二极管反向漏电流的制备方法”的专利，公开号CN119170500A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种减小碳化硅二极管反向漏电流的制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤一，在碳化硅衬底上生长一层碳化硅外延层；步骤二，碳化硅外延层上方形成厚度不小于40nm的氧化层和氧化凸起层；在碳化硅外延层上方形成初氧化层，通过刻蚀工艺，在氧化层上Al离子待注入区域进行刻蚀，刻蚀后进行Al离子注入；通过刻蚀工艺后，截面平整的氧化层厚度不小于40nm，侧部被刻蚀的区域，即氧化凸起层厚度为0.2um~0.5um；步骤三，高温退火，进行牺牲氧化刻蚀；之后完成离子注入，形成P型掺杂区（4）；本发明中通过改变制备工艺方法，使得整个器件的反向漏电流更小，从而提高器件的可靠性。
本文源自：金融界
