金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，本源量子计算科技（合肥）股份有限公司申请一项名为“掩膜及其制造方法和约瑟夫森结的制造方法”的专利，公开号CN119170490A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种掩膜及其制造方法和约瑟夫森结的制造方法，属于集成电路技术领域。所述掩膜，包括：光刻胶层，形成于衬底上且所述光刻胶层形成有用于暴露所述衬底的图形窗口；及材料沉积层，形成于所述光刻胶层远离所述衬底的表面及所述图形窗口的内壁，所述材料沉积层用于将所述图形窗口缩小为具有目标线宽的目标图形窗口。本申请基于在光刻胶层形成的图形窗口和在图形窗口内壁形成的材料沉积层即获得线宽更小的目标图形窗口，利用该目标图形窗口实施刻蚀工艺、沉积工艺、离子注入工艺等后续处理即可获得特征尺寸比光刻胶层的窗口尺寸小的电路元件，因而，本申请的掩膜对曝光设备的精度依赖程度较低，受曝光设备的限制较小，应用范围较宽。
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