金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，南通海星电子股份有限公司申请一项名为“一种低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法”的专利，公开号CN119170417A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及铝电解电容器电极箔制造技术领域，具体涉及一种低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法，包括以下步骤：（1）酸洗、（2）第一次脉冲处理、（3）化成处理、（4）热处理、（5）第二次脉冲清洗、（6）化成修补处理、（7）钝化。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔，通过脉冲激光清洗将腐蚀箔表面在空气中生成的水合氧化铝膜和在化成过程中生产的水合氧化铝膜去除，并且在化成修补液中进行氧化膜修补，促进高结晶度阳极氧化膜的形成，降低了缺陷，提升了致密度。
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