金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司取得一项名为“一种发光二极管外延结构”的专利，授权公告号CN222261110U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种发光二极管外延结构，包括从下而上依次设置的衬底、电子提供层、发光层和空穴提供层，在所述电子提供层与发光层中间增加微型电容层。所述微型电容层包括一层以上的微型电容结构，所述微型电容结构由GaN：C/GaN：Si结构组成，其中GaN：C在上，GaN：Si在下。由于电容效应的存在，本实用新型的结构缓冲了电子迁移速率，解决电子空穴迁移速率不匹配问题，进而提升发光效率；而且该结构还可以吸收和分散静电能量，削弱瞬时电压冲击和电流峰值对LED结构的影响，稳定工作电压和电流，从而提升LED外延结构的抗静电能力。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币，实缴资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目47次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可30个。
本文源自：金融界
