新加坡商格罗方德半导体取得二极管装置及形成二极管装置的方法专利

金融界 2025-01-08 13:12:08

金融界2025年1月8日消息,国家知识产权局信息显示,新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“二极管装置及形成二极管装置的方法”的专利,授权公告号CN114361284B,申请日期为2021年9月。

本文源自:金融界

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