湖北星辰申请半导体器件及其制造方法、存储器系统专利,可降低半导体器件温度

金融界 2025-01-09 13:52:11

金融界2025年1月9日消息,国家知识产权局信息显示,湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储器系统”的专利,公开号CN119255599A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统;其中,半导体器件包括:第一芯片;多个半导体结构,位于第一芯片在第一方向上的一侧表面,且均与第一芯片耦接;多个半导体结构在第二方向上间隔排布,和/或,在第三方向上间隔排布;第二方向与第三方向相交,且第二方向与第三方向均与第一方向垂直;散热结构,保形覆盖第一芯片与多个半导体结构。如此,可以在第芯片和/或半导体结构中产生热量时通过散热结构将热量快速的散出,进而降低半导体器件的温度,提高半导体器件的良率和可靠性。

天眼查资料显示,湖北星辰技术有限公司,成立于2021年,位于武汉市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析,湖北星辰技术有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目24次,知识产权方面有商标信息7条,专利信息24条,此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自:金融界

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