金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件、存储器系统”的专利，公开号CN119255608A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本申请的实施方式提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件、存储器系统。该方法包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括堆叠结构、贯穿堆叠结构的接触连接部和栅线缝隙结构，其中，栅线缝隙结构沿堆叠结构的堆叠方向具有凸出堆叠结构的凸起部，半导体结构还包括覆盖堆叠结构、接触连接部和栅线缝隙结构的凸起部的半导体层；去除至少部分半导体层，以暴露接触连接部及凸起部；去除凸起部的至少一部分；以及形成覆盖半导体层、接触连接部和栅线缝隙结构的介质层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息4970条，此外企业还拥有行政许可1001个。
本文源自：金融界
