金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“电阻式存储器结构及其制造方法”的专利，公开号CN119255615A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种电阻式存储器结构及其制造方法。上述电阻式存储器结构包括衬底、介电层、导电插塞、电阻式存储器器件、间隔件与保护层。介电层位于衬底上。导电插塞位于介电层中。导电插塞具有位于介电层的外部的突出部。电阻式存储器器件位于导电插塞上。电阻式存储器器件包括第一电极、可变电阻层与第二电极。第一电极位于导电插塞上。可变电阻层位于第一电极上。第二电极位于可变电阻层上。间隔件位于电阻式存储器器件的侧壁上。保护层位于突出部的侧壁上以及第一电极与介电层之间。上述电阻式存储器结构可提升电阻式存储器器件的可靠度与数据保存能力。
天眼查资料显示，联华电子股份有限公司，成立于1980年，位于，是一家以从事None为主的企业。企业注册资本26000000万新台币。通过天眼查大数据分析，联华电子股份有限公司参与招投标项目27次，知识产权方面有商标信息16条，专利信息2535条。
本文源自：金融界
