长鑫存储取得存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器专利

金融界 2025-01-11 19:11:32

金融界2025年1月11日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器”的专利,授权公告号CN117915653B,申请日期为2022年10月。

天眼查资料显示,长鑫存储技术有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币,实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫存储技术有限公司参与招投标项目376次,知识产权方面有商标信息2条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可45个。

本文源自:金融界

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