金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“一种侧墙刻蚀方法、场效应晶体管和半导体工艺设备”的专利，公开号CN119297084A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种侧墙刻蚀方法、场效应晶体管和半导体工艺设备，包括：提供待刻蚀器件，待刻蚀器件包括衬底、设置在衬底上的栅极以及覆盖栅极和衬底的待刻蚀膜层，待刻蚀膜层包括沿远离衬底的方向依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，利用第一刻蚀气体对第三半导体层进行刻蚀，以使刻蚀停止在第二半导体层表面，利用第二刻蚀气体对第二半导体层进行刻蚀，以使刻蚀停止在第一半导体层表面，从而可以仅利用一个刻蚀步骤对第三半导体层或第二半导体层进行刻蚀，不再需要利用两个刻蚀步骤对第三半导体层或第二半导体层进行刻蚀，进而可以简化侧墙刻蚀流程，提高侧墙刻蚀效率。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币，实缴资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目988次，知识产权方面有商标信息31条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可339个。
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