芯联越州申请SIC芯片及其制造方法专利,有效减少热循环过程中塑封料与SIC芯片之间的剪切应力

金融界 2025-01-16 13:13:30

金融界2025年1月16日消息,国家知识产权局信息显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请一项名为“SIC芯片及其制造方法”的专利,公开号CN119297158A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明提供了一种SIC芯片及其制造方法,属于半导体领域。该SIC芯片制造方法包括提供一SIC芯片,在通孔的内壁和底部沉积钝化层,且钝化层延伸至通孔周围的金属覆盖层;在钝化层的表面形成第一PI层,并填充通孔;在第一PI层表面形成第二PI层,其中,第一PI层和第二PI层胶性相反;在第二PI层表面形成塑封层,塑封层将第二PI层和金属覆盖层覆盖本发明通过形成胶性相反的两层PI层使用两层PI层,可以形成SIC芯片表面应力梯度结构,有效减少热循环过程中塑封料与SIC芯片之间的剪切应力,从而能够降低SIC芯片的边缘和拐角的剪切应力,进而能够避免SIC芯片与塑封料分层,以及SIC芯片开裂,进一步能够避免器件物理性质异常以及电性失效。

天眼查资料显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司,成立于2021年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币,实缴资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目3次,专利信息98条,此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自:金融界

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