金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及制备方法”的专利，公开号CN119314945A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及制备方法，刻蚀第一介质层，形成贯穿第一介质层的第一通道；在第一通道中填充第一金属以作为互连结构的互连金属。在第一流量下通入第一反应气体，在第二流量下通入第二反应气体，以在第一金属和第一介质层上形成第一过渡层。第一过渡层的介电常数较小，可减小信号延迟。第一反应气体包括含硅碳气体，第二反应气体包括含氮气体；第一流量和第二流量的比为第一流量比例；第一流量比例小于或等于第一预设值；第一预设值用于反映反应气体中的碳氮比。形成含氮比较多的第一过渡层，可以有效阻挡第一金属的扩散。同时，含氮比较多，第一过渡层硬度也比较大，具有较大的表面自由能，可提高粘附性，减少分层现象的发生。
天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1666700万人民币，实缴资本1000000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目35次，知识产权方面有商标信息9条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可270个。
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