金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“半导体激光器材料的校验方法”的专利，公开号CN119315373A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了半导体激光器材
料的校验方法，包括：
生长校验结构，校验
结构包括从下至上依
次设置的衬底层、第
一晶格匹配层、
InGaAs/InAlAs超晶格、第二晶格匹配层、InyAl1‑yAs层、第三晶
格匹配层和InxGa1‑xAs层；进行XRD表征，得到XRD衍射谱，对
InGaAs/InAlAs超晶格的组分和生长速率进行计算。本申请公
开的半导体激光器材料的校验方法，能够通过一次校验结构的
生长，同时实现InGaAs和InAlAs材料组分和生长速率的校验，
缩减了校验生长的次数，提高了校验效率，降低校验成本，保障
生产质量；能够排除不同次生长之间存在的生长速率的波动，
提升校验的一致性，提升校验精确度。
天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币，实缴资本9663.4952万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息246条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自：金融界
