金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“用强脉冲光照射制作重分布层的半导体器件和方法”的专利，公开号CN119314886A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，用强脉冲光照射制作重分布层的半导体器件和方法。半导体器件具有基板。电气组件设置在基板上。封装剂沉积在电气组件上。在沉积封装剂后，导电层形成在与电气组件相对的基板上。导电层在基质中被沉积为多个涂覆石墨烯的金属球。导电层是通过强脉冲光(IPL)照射烧结的。
本文源自：金融界
星科金朋申请用强脉冲光照射制作重分布层的半导体器件和方法专利，实现半导体器件的创新制作
金融界
2025-01-18 19:13:32
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