金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“DRAM存储器及其形成方法”的专利，授权公告号CN112447605B，申请日期为2019年8月。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可44个。
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