中芯国际申请半导体结构等形成方法专利,能够有效提升最终形成的封装结构的性能

金融界 2025-01-25 09:17:05

金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体芯片、封装结构以及各对应形成方法”的专利,公开号CN119340317A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,一种半导体结构、半导体芯片、封装结构以及各对应形成方法,其中半导体结构包括:衬底,衬底具有第一面,衬底包括若干芯片区,各芯片区内具有相对于第一面凹陷的凹槽;位于凹槽内的第一芯片,且第一面暴露出第一芯片的功能面;位于第一面表面和第一芯片的功能面表面的重布线层,重布线层内具有导电结构;位于各芯片区上的重布线层表面的第二芯片,第二芯片通过导电结构与第一芯片电连接,第一芯片朝向衬底表面的投影与第二芯片朝向衬底表面的投影部分重合;位于各芯片区上的重布线层表面的导电柱,导电柱通过导电结构与第一芯片电连接,能够有效提升最终形成的封装结构的性能。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元,实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目119次,知识产权方面有商标信息146条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可429个。

本文源自:金融界

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