金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及设备”的专利，公开号CN119340234A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及半导体设备，属于等离子体刻蚀领域，主要利用在刻蚀过程中通过提供羰基卤化物、醛基卤化物、羧基卤化物中的一种或多种作为工艺气体，激发形成等离子体，对待刻蚀层进行刻蚀，解决了在刻蚀进行到一定程度形成高深宽比的孔或槽时，底部刻蚀速率与中部刻蚀速率相差较大造成的上下不一致问题，显著改善高深宽比刻蚀的形貌，保证准直性，提高半导体结构的有效性。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本61927.9423万人民币，实缴资本61927.9423万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息71条，专利信息1425条，此外企业还拥有行政许可71个。
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