金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN119340305A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件、制备方法及电子设备。该半导体器件包括：基底，互连介质结构和保护叠层，互连介质结构位于基底的顶面，包括多个沿第一方向间隔分布的互连孔，保护叠层覆盖互连介质结构的顶面，包括沿第二方向依次层叠的至少三层保护层，各保护层之间存在界面能，以在清洁互连孔的情况下，保护互连孔的顶面不受到刻蚀损伤，使互连孔的顶部宽度等于互连孔的底部宽度。进而防止因接触孔的顶面孔径过大而造成后续工艺中等离子体对半导体器件的损伤，提高半导体器件的电性和可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1806次，知识产权方面有商标信息9条，专利信息896条，此外企业还拥有行政许可177个。
本文源自：金融界
