中芯国际申请半导体结构及掩膜版版图专利,有利于实现同时参考两层结构层的方案

金融界 2025-01-25 09:17:11

金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及掩膜版版图”的专利,公开号CN119340309A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,一种半导体结构及掩膜版版图,半导体结构包括:第一结构层,包括第一量测图形结构,第一量测图形结构包括平行排布的多个第一图形结构;第二结构层,位于第一结构层上,第二结构层包括第二量测图形结构,第二量测图形结构包括平行排布的多个第二图形结构,第二图形结构与第一图形结构的延伸方向相同,第二量测图形结构在第一结构层的投影中,沿垂直于延伸方向,第一图形结构与第二图形结构的投影交替分布;第三结构层,位于第二结构层上,第三结构层包括第三量测图形结构,第一量测图形结构与第二量测图形结构在第三结构层的投影构成的图形结构与第三量测图形结构重合。本发明有利于实现同时参考两层结构层的方案。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元,实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目119次,知识产权方面有商标信息146条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可429个。

本文源自:金融界

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