福建省晋华申请半导体器件及其制作方法专利,使半导体器件能达到更为优化的组件效能

金融界 2025-01-25 15:17:52

金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号CN119342813A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,包括衬底、位线结构、闸极结构、蚀刻停止层以及层间电介质层。衬底包括第一区和第二区。位线结构设置在衬底上并位于第一区内。闸极结构设置在衬底上并位于第二区内。蚀刻停止层设置在衬底上,覆盖位线结构的顶面和侧壁、和闸极结构的侧壁。层间电介质层覆盖在位线结构和闸极结构上,其中,层间电介质层物理性接触覆盖位线结构的顶面的蚀刻停止层、和闸极结构的顶面。如此,位线结构和闸极结构皆能具备较佳的结构可靠度,使半导体器件能达到更为优化的组件效能。

天眼查资料显示,福建省晋华集成电路有限公司,成立于2016年,位于泉州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币,实缴资本2523019.453654万人民币。通过天眼查大数据分析,福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目565次,知识产权方面有商标信息12条,专利信息894条,此外企业还拥有行政许可62个。

本文源自:金融界

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