金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119342886A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在伪栅结构两侧的沟道叠层中形成顶部凹槽，顶部凹槽暴露出衬底的顶部；在顶部凹槽露出的衬底中掺杂反型离子，反型离子的掺杂类型和MOS晶体管的沟道导电类型不同；进行第一热处理，用于使反型离子向伪栅结构底部的衬底中扩散，在衬底中形成初始掺杂区；去除顶部凹槽底部的部分厚度衬底，在顶部凹槽底部的衬底中形成底部凹槽，底部凹槽和位于底部凹槽上的顶部凹槽构成源漏凹槽；底部凹槽侧壁的衬底边缘中的剩余初始掺杂区用于作为反型掺杂区在源漏凹槽中形成源漏掺杂层源漏掺杂层与反型掺杂区相邻。本发明实施例优化了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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