金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN119342822A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的栅极线和绝缘层；沟道结构，其延伸穿过栅极结构；虚设栅极结构，其包括层叠的虚设栅极线；虚设沟道结构，其延伸穿过虚设栅极结构；以及隔离绝缘结构，其包括层叠在栅极结构和虚设栅极结构之间的水平部分以及延伸穿过水平部分的垂直部分。
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