金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN119342828A，申请日期为2020年7月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基板，其包括外围电路；栅极层叠结构，其设置在基板上并且包括单元阵列区域以及从单元阵列区域延伸的阶梯区域；沟道结构，其穿过栅极层叠结构的单元阵列区域；存储器层，其围绕沟道结构的侧壁；第一接触插塞，其穿过栅极层叠结构的阶梯区域；以及绝缘结构，其围绕第一接触插塞的侧壁，以使第一接触插塞与栅极层叠结构绝缘。
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