金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化物半导体激光器元件”的专利，公开号CN119362153A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化物半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下波导层与下限制层之间具有自束缚激子极化激元层，述自束缚激子极化激元层包括第一自束缚激子极化激元层和第二自束缚激子极化激元层。本发明具有拓扑单斜相周期性铁电畴，形成强平面外自发极化诱导自束缚激子极化激元，将自由激子束缚能从10meV以下提升至20meV以上，降低激光的激子辐射的温度阈值，在室温或更高温度下可实现激子光辐射。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息428条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
