金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，山西创芯光电科技有限公司申请一项名为“一种纯锑化物半导体激光器”的专利，公开号CN119362156A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种纯锑化物半导体激光器，属于半导体激光器技术领域；解决了经典的InGa(As)Sb‑AlGaAsSbI型应变量子阱存在的价带带阶不大、对空穴的束缚能力不强的问题；包括衬底，以及在衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、下量子势垒层、量子阱、上量子势垒层、上波导层、上限制层和保护层，所述衬底和保护层采用InxGa1‑xSb材料，其中0.05≤x≤0.65，所述下限制层、上限制层采用与衬底晶格匹配的Ga1‑z1Alz1Sb材料，所述下波导层、下量子势垒层、上量子势垒层、上波导层采用与衬底晶格匹配的In1‑x1‑y1Gax1Aly1Sb材料，所述量子阱采用InyGa1‑ySb材料，其中0.20≤y≤0.60；本发明应用于锑化物半导体。
天眼查资料显示，山西创芯光电科技有限公司，成立于2018年，位于太原市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币，实缴资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，山西创芯光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可5个。
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