金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119381369A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：芯片，所述芯片表面依次形成有第一金属连接结构、第一介质层和第一钝化层，所述第一金属连接结构的一部分贯穿所述第一介质层延伸至所述第一钝化层中且被所述第一钝化层暴露；第二金属连接结构，位于所述被所述第一钝化层暴露的第一金属连接结构表面，所述第二金属连接结构的顶面面积大于所述第一金属连接结构的顶面面积且所述第二金属连接结构的顶面完全覆盖所述第一金属连接结构的顶面；第三金属连接结构，位于所述第二金属连接结构的顶面，所述第三金属连接结构完全位于所述第二金属连接结构的顶面上。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免芯片中低介电常数材料层破裂。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可435个。
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