金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“功率半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119381342A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种功率半导体器件及其制造方法，制造方法包括：形成第一沟槽于元胞区的基底中，形成第二沟槽于终端区的基底中；形成第一介质层覆盖第一沟槽和第二沟槽的内壁；填充第一多晶硅层于第一沟槽和第二沟槽中；去除第一沟槽中部分高度的第一多晶硅层和部分高度的第一介质层，形成隔离层于第一沟槽中剩余的第一多晶硅层上；形成第二介质层于第一沟槽的侧壁；填充第二多晶硅层于第一沟槽中；形成第三介质层于基底顶面，第三介质层覆盖第一沟槽和第二沟槽；刻蚀第三介质层，以形成暴露出第二多晶硅层和第二沟槽中的第一多晶硅层的第一接触孔；刻蚀第一沟槽外围的第三介质层和基底，以形成第二接触孔。本发明的技术方案能够避免电性失效。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目165次，知识产权方面有商标信息15条，专利信息508条，此外企业还拥有行政许可55个。
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