金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119381379A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有多个第一导电结构和第一金属层，所述多个第一导电结构与所述第一金属层电连接；自下向上的下极板、第二介质层和上极板，形成于所述第一介质层上，所述下极板与所述多个第一导电结构电连接；多个第三导电结构和第四导电结构，所述多个第三导电结构形成于所述上极板上，且与所述上极板电连接，所述第四导电结构与所述第一金属层电连接。本发明的技术方案使得提高电容器的品质因子的同时，还避免TDDB失效。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币，实缴资本578214.4726万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目213次，知识产权方面有商标信息65条，专利信息1682条，此外企业还拥有行政许可102个。
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