金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法”的专利，公开号CN119381250A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，在栅极沟槽的刻蚀过程中，将原本比较厚的作为硬掩膜的氧化层拆分成氧化层‑氮化层‑氧化层的三层结构，有效降低了沟槽刻蚀工艺中刻蚀氧化层的时间，减少沟槽内聚合物残留，进而减少甚至避免硅尖刺，从而避免产生质量差的栅氧化层导致的击穿电压失效。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可428个。
本文源自：金融界
