金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，南昌中微半导体设备有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“种射频发生器、半导体处理设备及使用方法”的专利，公开号CN119382671A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法，所述射频发生器，包括：电容器；高压电源，其正极与电容器的第一极板连接，其负极与电容器的第二极板连接，其用于对电容器充电；电容器充电完成后输出直流电压信号，直流电压信号的电压值大于1KV；第一开关，其正极与负载连接，其负极与第二极板连接；第一开关以预设频率进行断开和闭合，以将直流电压信号变换为第一高频高压脉冲信号并施加至负载；且预设频率不小于400KHZ，第一开关的额定电压大于1KV；第一二极管，其正极与第一开关和负载的连接线连接，其负极连接第一电位接点；第一二极管用于在第一开关断开时释放连接线上产生的第一反向电压。
天眼查资料显示，南昌中微半导体设备有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2500万人民币，实缴资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，南昌中微半导体设备有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目149次，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可22个。
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