金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119384217A，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一电极；第二电极；四方晶种层，其设置在第一电极和第二电极之间；第一四方氧化铪层，其设置在第一电极和四方晶种层之间；以及第二四方氧化铪层，其设置在第二电极和四方晶种层之间。
本文源自：金融界
爱思开海力士申请半导体器件及其制造方法专利，实现半导体器件的创新制造
金融界
2025-01-31 21:18:15
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