金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN119384125A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括：反射层、外延结构、电流扩展层和第一电极，所述外延结构和所述电流扩展层依次层叠在所述反射层上，所述第一电极位于所述电流扩展层上；所述第一电极远离所述电流扩展层的一面开设有凹槽结构，所述凹槽结构的深度小于所述第一电极的厚度的35％，所述凹槽结构的面积小于所述第一电极远离所述电流扩展层的一面的面积的20％。在第一电极远离电流扩展层的一面开设有凹槽结构，从而减少因为形变造成的遮光面积，提高发光二极管亮度。同时，限定凹槽结构的面积占比和深度占比，避免凹槽结构面积过大或深度过深造成电极机械强度低，出现异常形变的情况。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目81次，专利信息507条，此外企业还拥有行政许可38个。
本文源自：金融界
