金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119384035A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括隔断区、以及沿第一方向与隔断区相邻的有源区；鳍部，凸立于有源区的衬底上，鳍部沿第一方向延伸；第一支撑结构，位于与隔断区相邻接的有源区的鳍部侧壁上；隔断开口，位于隔断区中且位于沿第一方向的相邻鳍部之间。本发明在形成隔断开口的过程中，在垂直于鳍部的延伸方向上，第一支撑结构能够对鳍部起到支撑作用，降低了在垂直于鳍部的延伸方向上，发生鳍部弯曲、以及相邻鳍部融合的概率，从而提高了鳍部的质量，降低了在后续工艺制程中因鳍部，使得栅极与源漏掺杂层短接的概率，进而提高了半导体结构的性能，也提高了半导体器件的良品率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可435个。
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