金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储系统及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN119383974A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件、存储系统及半导体器件的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件中出现漏电流导致半导体器件的性能降低的问题。该半导体器件包括堆叠结构、沟道结构、引出结构、导电层以及隔断部。堆叠结构包括层叠设置的多层栅极层；堆叠结构包括第一表面和第二表面。沟道结构贯穿堆叠结构，且突出于堆叠结构的第一表面。引出结构自第二表面贯穿至对应的栅极层，且与对应的栅极层连接。导电层设于第一表面；导电层覆盖沟道结构且与沟道结构连接。隔断部设于沟道结构和引出结构之间；隔断部断开导电层，且隔断部的材料为绝缘材料。上述半导体器件应用于存储系统中，以实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1391次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。
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